Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 9.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 36
    Около -24% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.8 left arrow 12.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 9.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2497 left arrow 2315
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения