Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo
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Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 12.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 9.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 36
    Intorno -24% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.8 left arrow 12.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.8 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2497 left arrow 2315
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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