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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

総合得点
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Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66% 高帯域
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB 考慮すべき理由
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 36
    周辺 -24% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    15.8 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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