Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.8 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 9.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 36
    Wokół strony -24% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.8 left arrow 12.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 9.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2497 left arrow 2315
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania