RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
11.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
2234
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link