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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
43
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3042
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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