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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
43
周辺 -105% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
21
読み出し速度、GB/s
14.9
17.7
書き込み速度、GB/秒
9.6
13.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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