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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
62
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
62
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
1891
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
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