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Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Compara
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
37
Velocidad de lectura, GB/s
7.6
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1160
2512
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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