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Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

総合得点
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Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB

Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB

総合得点
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB 考慮すべき理由
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB 考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 42
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 6.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    7.6 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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