RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
59
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2727
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link