RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
59
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2727
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link