RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2688
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link