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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3726
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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