Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 33
    Около -3% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.4 left arrow 17.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.8 left arrow 19.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 16.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3285 left arrow 3726
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения