RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
56
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2455
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link