RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
56
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2455
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link