RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.1
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3126
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link