RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2515
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link