RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3726
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link