Porównanie pamięci RAM Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wynik ogólny

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 21300

Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

32 33

Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

19.4 17.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.3 12.5

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3285 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns