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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
59
En -84% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
no data
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
, 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2918
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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