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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
14.1
写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
内存带宽,mbps
6400
no data
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
731
2918
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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