RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3132
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link