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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
16.9
写入速度,GB/s
2,123.3
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3132
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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