RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3367
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link