RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
59
Autour de -90% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3367
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link