RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
59
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3015
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link