RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
59
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3015
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link