RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3015
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link