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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
59
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2959
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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