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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
14.6
写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2959
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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