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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
19.1
写入速度,GB/s
12.0
16.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3562
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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