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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Kingston 9965662-015.A00G 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
14.8
10.9
写入速度,GB/s
8.7
5.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
1874
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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