RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3651
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link