RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3039
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link