RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3039
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link