RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
59
En -127% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2579
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link