RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
59
Около -127% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2579
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link