RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
59
En -69% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3060
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link