RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
59
Autour de -69% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3060
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link