RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2951
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link