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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2951
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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