RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2135
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link