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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En -111% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3010
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
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