RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3010
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link