RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
28
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2741
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link