RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2741
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link