RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
59
En -23% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
48
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3061
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link