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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
59
左右 -23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
48
读取速度,GB/s
4,833.8
12.3
写入速度,GB/s
2,123.3
14.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3061
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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