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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
14.7
写入速度,GB/s
870.4
12.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2900
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
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