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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
23
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
59
En -157% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.1
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
23.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
21.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
4565
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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